氮化鎵半導(dǎo)體材料是繼硅和砷化鎵材料后的新一代半導(dǎo)體材料，被稱為第三代半導(dǎo)體材料，它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性。目前GaN材料主要應(yīng)用于射頻與功率器件領(lǐng)域，隨著5G的發(fā)展，射頻器件需求增大，氮化鎵市場(chǎng)隨之?dāng)U張。

造極電氣協(xié)助北京大學(xué)東莞光電研究院在GaN晶體生長(zhǎng)設(shè)備中設(shè)計(jì)了一套完整的控制系統(tǒng)，通過(guò)上位機(jī)和電氣控制系統(tǒng)同時(shí)工作，提高設(shè)備的可控性和穩(wěn)定性。